机译:面向靶溅射方法用于50TB以上盒式磁带的垂直磁记录磁带介质的播放性能
Hitachi Maxell, 1-1-88 Ushitora, Ibaraki, Osaka 567-8567, Japan;
Hitachi Maxell, 1-1-88 Ushitora, Ibaraki, Osaka 567-8567, Japan;
Hitachi Maxell, 1-1-88 Ushitora, Ibaraki, Osaka 567-8567, Japan;
Hitachi Maxell, 1-1-88 Ushitora, Ibaraki, Osaka 567-8567, Japan;
Tokyo Institute of Technology, 2-12-1 Ookayama, Megum-ku, Tokyo 152-8577, Japan;
Tokyo Institute of Technology, 2-12-1 Ookayama, Megum-ku, Tokyo 152-8577, Japan;
Tokyo Institute of Technology, 2-12-1 Ookayama, Megum-ku, Tokyo 152-8577, Japan;
Tokyo Institute of Technology, 2-12-1 Ookayama, Megum-ku, Tokyo 152-8577, Japan;
sputtered tape medium; facing targets sputtering; playback performance; CoPtCr-SiO_2;
机译:面对靶溅射垂直和纵向磁带介质的播放性能比较
机译:高速移动磁带基材上面向目标溅射磁带介质的播放性能
机译:减少超过50 TB级数据盒式磁带垂直磁带的介质噪音
机译:减少垂直磁记录带上的介质噪音,用于超过50 TB类数据盒
机译:溅射磁带介质的制作与记录性能
机译:Ru中间层的斜入射溅射用于垂直记录介质中晶间交换的解耦
机译:使用Si / NiFe / FeCoB软磁衬层制造数据容量超过50TB的垂直磁记录磁带介质