机译:三维模拟支持的SiC衬底上AlGaN / GaN多指功率HEMT的先进表征技术和热性能分析
Slovak Univ Technol Bratislava Inst Elect & Photon Ilkovicova 3 Bratislava 81219 Slovakia;
III V Lab 1 Ave Augustin Fresnel F-91767 Palaiseau France;
机译:SiC衬底上多指AlGaN / GaN HEMT的热阻建模,仿真和分析
机译:多指AlGaN / GaN HEMT器件操作的电热建模,包括热衬底效应
机译:在射频工作条件下使用光学方法对SiC衬底上的AlGaN / GaN HEMT进行热表征
机译:通过TCAD模拟和测量对在Si和SiC衬底上生长的AlN / GaN / AlGaN HEMT进行热分析
机译:GaN-SiC界面处具有GaN微坑的AlGaN / GaN HEMT中的散热分析
机译:在6英寸N掺杂的低电阻率SiC基板上的常压P-GaN栅极AlGaN / GaN Hemts的高热耗散
机译:三维仿真支撑的SiC基板上AlGaN / GaN Multifiger功率HEMTS热性能的高级表征技术及分析