机译:SiO_2栅极绝缘子的缺陷,空间分布,密度,类型和尺寸
Department of Electrical and Computer Engineering, Box 7911, North Carolina State University, Raleigh, NC 27695;
bulk SiO_2 defects; charged gate insulator defects; gate insulator defects; neutral electron traps; neutral hole traps; SiO_2 insulator defects;
机译:双层(sio_2 / hfo_2)栅极电介质N型金属氧化物半导体场效应晶体管中电活性缺陷的空间分布
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机译:使用缺陷大小和空间密度预测MEMS结构的强度分布
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