机译:有机金属气相外延生长的p-InGaAs中晶格常数的收缩和生长速率的降低
Semiconductor Division, ETRI, Yusong P.O. Box 106, Taejon, 305-606, Korea;
diethylzinc; InGaAs; lattice constant; organometallic vapor phase epitaxy (OMVPE);
机译:通过有机金属气相外延生长的GaN:Eu发光二极管材料中光学中心的晶格位置
机译:单和双SiN_x中间层对通过有机金属气相外延生长的GaN覆盖层中的缺陷减少的功效
机译:有机金属气相外延在GaAs衬底上生长的InGaAsP中相分离和CuPt有序共存特性
机译:大气压动态氢化物气相外延法高速生长高性能GaAs太阳能电池
机译:衬底取向错误对有机金属气相外延法生长碲化镉的同质外延的影响。
机译:卤化物气相外延在锥形截肢型蓝宝石衬底上生长的α-GA2O3癫痫脱位的减少
机译:通过有机金属气相外延生长的GaN:Eu发光二极管材料中光学中心的晶格位置
机译:生长中断对有机金属气相外延生长GaInassb / alGaassb异质结构表面复合速度的影响