机译:OMVPE生长的GaAs / AlGaAs和GaAs / InGaP HEMT和PHEMT结构的比较
Army Research Lab, AMSRC-EP-EC, Fort Monmouth, NJ 07703-5601;
GaAs/AlGaAs; GaAs/InGaP; high electron mobility transistor (HEMT); pseudo-morphic high electron mobility transistor (PHEMT); organometallic vapor phase epitaxy (OMVPE);
机译:InGaP和AlGaAs肖特基层对GaAs pHEMT中ESD鲁棒性的影响
机译:MBE在(311)A和(111)A GaAs衬底上通过MBE生长的AlGaAs / InGaAs / GaAs P-HEMTs结构中2DEG密度的增强
机译:OMVPE使用新型铝源生长的GRINSCH GaAs / AlGaAs激光结构
机译:加速直流应力下热电子对AlGaAs / InGaAs / GaAs PHEMT的影响以及与InGaP PHEMT的比较
机译:MOCVD生长的GaAs / AlGaAs核壳纳米线的光致发光和共振拉曼光谱。
机译:使用液相沉积的TiO2作为栅介质的AlGaAs / InGaAs PHEMT的亚阈值特性和闪烁噪声降低
机译:栅极下沉对InGap / alGaas / InGaas增强模式pHEmT器件性能的影响
机译:OmVpE生长的N-p-n InGap / InGaasN DHBT的DC特性