机译:外延生长的实时光学监测:GaP和InP的同质外延和Si上的异质外延的脉冲化学束外延
Department of Materials Science and Engineering, Department of Physics, Raleigh NC 27695-7919;
GaP; InP; pulsed chemical beam epitaxy (PCBE); real-time monitoring;
机译:使用单波长激光干涉仪对AlN / GaN分子束外延生长进行光学监控:一种追踪生长速率实时变化的简单方法
机译:在InP上的AlGaPSb和AlGaPSb / InP分布布拉格反射器的分子束外延生长
机译:斜入射反射差技术实时监测钙钛矿氧化物薄膜的激光分子束外延生长
机译:使用替代光源通过化学束外延生长InP,GaP和GaInP
机译:通过分子束外延和脉冲激光沉积研究同质薄膜的生长动力学。
机译:分子束外延法原位外延生长石墨烯/ h-BN范德华异质结构
机译:蒙特卡罗外延生长模拟:脉冲激光沉积和分子束外延的比较
机译:脉冲化学束外延过程中Ga(1-x)In(x)p生长的表面反应动力学