机译:金属有机气相外延生长高质量GaSb
Optoelectronics Laboratory, Helsinki University of Technology, FIN-02150 Espoo, Finland;
gallium antimonide; hall mobility; metalorganic vapor phase epitaxy (MOVPE); photoluminescence;
机译:GaAs / GaSb金属有机气相外延异质结构中缺陷分布引起的掩埋GaSb结的导纳光谱
机译:GaAs / GaSb金属有机气相外延异质结构中缺陷分布引起的掩埋GaSb结的导纳光谱
机译:使用NH3分解催化剂通过金属有机气相外延低温生长(<= 600摄氏度)高质量InxGa1-xN(x近似于0.3)
机译:高温熔化型气相外延高质量厚AlGaN的生长
机译:金属有机气相外延生长高质量InGaN的研究
机译:具有可控AsxSb1-x界面的InAs / GaSb II型超晶格的金属有机化学气相沉积生长
机译:通过金属有机气相外延生长在蓝宝石衬底上的双相高品质单晶NiO
机译:金属有机气相外延1986.金属有机气相外延国际会议论文集(第3期)于1986年4月13日至17日在加利福尼亚州环球城举行