机译:用乙硅烷掺杂氮化镓
Laboratory for Advanced Material Synthesis, Naval Research Laboratory, Code 6861, Washington, D.C. 20375-5347;
disilane; gallium nitride (GaN); metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD); organometallic vapor phase epitaxy (OMVPE); silicon doping;
机译:通过测量和技术-计算机辅助设计仿真研究金属-绝缘体-半导体场效应晶体管和高电子迁移率晶体管的氮化镓/氮化镓铝/氮化镓高压晶体管中的表面电荷和陷阱
机译:具有反射电极焊盘和纹理化的掺杂ZnO接触层的InGaN氮化镓发光二极管
机译:掺杂和共掺杂氮化镓的理论研究(Cr,Ni):LDA-SIC和Monte Carlo研究
机译:溶胶 - 凝胶旋涂法通过溶胶掺杂氮化镓薄膜的低成本增长
机译:稀土掺杂氮化铝,氮化镓和镓铝氮化物粉末和薄膜的可见光的合成与表征
机译:复合体系镓氮化镓GaN-氮化镓锡中的新型氮化物纳米粒子
机译:M掺杂(M = Ti和Cr)氮化镓纳米片朝向SO2和NO2的吸附性能:DFT-D计算
机译:在包括非氮化镓柱的基板上制造氮化镓半导体层的方法,以及由此制造的氮化镓半导体结构。