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Reflectivity and Abnormal Absorption at ITO/Al Interface

机译:ITO / Al界面的反射率和异常吸收

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摘要

The electrical and optical thermal stability of indium tin oxide (ITO)/Al bilayers are investigated in this study. The electrical resistivity of ITO and ITO/Al multilayers, both about 1 × 10−3 Ω cm after annealing at 300°C for 1 min, are measured by the four-probe measurement method. In addition to the electrical measurements, we also observe the rapid initial diffusion of Al atoms into the ITO thin films. When the diffusing elemental Al atoms occupy interstitial sites they tend to form defects, causing a serious decrease in the reflectance of the a-ITO/Al bilayer in the wavelength region from 400 nm to 600 nm.
机译:在这项研究中研究了铟锡氧化物(ITO)/ Al双层的电和光热稳定性。通过四探针测量法测量ITO和ITO / Al多层膜的电阻率,该电阻率在300℃下退火1分钟后均为约1×10 3-sΩcm。除了电学测量之外,我们还观察到Al原子迅速扩散到ITO薄膜中。当扩散的元素铝原子占据间隙位置时,它们倾向于形成缺陷,从而导致a-ITO / Al双层在400 nm至600 nm波长范围内的反射率严重降低。

著录项

  • 来源
    《Journal of Electronic Materials》 |2009年第1期|p.108-112|共5页
  • 作者

    Y.H. Lin; C.Y. Liu;

  • 作者单位
  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类
  • 关键词

  • 入库时间 2022-08-18 00:04:45

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