机译:反应堆外倾角间距设计提高GaN外延层质量
GaN epitaxial layers; Photoluminescence; Laminar flow; Hall mobiltiy;
机译:通过溶液流延籽晶层HVPE技术生长的GaN外延层:反应堆加热方法对结构和光学质量的影响
机译:通过控制(AlN / GaN)多缓冲层的应变来改善AlN和AlGaN外延层的晶体质量
机译:金属有机化学气相沉积中蓝宝石上GaN外延层生长的反应堆设计规则
机译:ALN缓冲层质量对硅衬底上GAN外延层质量的影响
机译:用金属有机化学沉积和器件表征设计和外延生长超尺寸的N-极性GaN /(IN,Al,Ga)N的垫圈
机译:接近无应变的GaN兼容缓冲层上GaN外延层中的超低穿线位错密度及其在异质外延LED中的应用
机译:Si(x)N(y)中间层对通过MOCVD在Si(111)衬底上生长的GaN外延层质量的影响
机译:新开发的GaN pendeo外延层的优异结构质量