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Effects of photoirradiaiton energy and of underlying layers on ZnSe growth by hotoassisted MOVPE

机译:热辅助MOVPE对光辐射能及其下层对ZnSe生长的影响

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摘要

The role of underlying laeyr on ZnSe growth by photoassisted metalorganic vapor phase epitaxy was investigated. The grwoth rate of ZnSe is found to be strongly influenced by the combiniton of photorriadiaiton energy, growth temeprature and buffer layer material. It is shown that between 300 deg C and 350 deg C the growth of ZnSe occurs on ZnSe, but not on ZnS, if the photoirradation energy is between the bandgaps of ZnS and ZnSe, which suggests novel selective area growth is possible without a mask. A growth model of ZnSe is disucssed in terms of the underlying leyrs.
机译:通过光辅助金属有机气相外延研究了底层Layer对ZnSe生长的作用。发现ZnSe的生长速率受光敏重氮能量,生长温度和缓冲层材料的组合的强烈影响。结果表明,如果光辐照能量在ZnS和ZnSe的带隙之间,则在300℃至350℃之间,ZnSe的生长会在ZnSe上发生,而不是在ZnS上发生,这表明在没有掩膜的情况下可能会有新的选择性区域生长。 ZnSe的生长模型没有涉及潜在的杂质。

著录项

  • 来源
    《Journal of Crystal Growth》 |1999年第2期|p.1170-1173|共4页
  • 作者

    K. Ogata; Sz. Fujita; Sg. Fujita;

  • 作者单位
  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类 晶体学;
  • 关键词

  • 入库时间 2022-08-18 00:55:23

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