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Doping of CdTe with radioactive ~111In during MOCVD grwoth

机译:在MOCVD生长过程中用放射性〜111In掺杂CdTe

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摘要

CdTe epilaeyrs gown on GaAs by MOCVD were doped in situ with the donor In by using a mixture of radioactivke trimethylindium (TM~111In) and stable TMIn. By measuring the γ-radition of the radioactivke dopant ~111In the amount of In atoms incorporated itno the CdTe layers during growth and the depositon of In within the MOCVD setup was determined. The klpresence of comensating defects in the grown layers was detected at the site of the donor ~111In by the perturbed γγ-angular correlation (PAC) technique. The PAC experiments, complemented by photoluminescence spectroscopy, show the presence of A-centres, consisting of a Cd vacancy and an In donor.
机译:通过使用放射性三甲基铟(TM〜111In)和稳定的TMIn的混合物,通过MOCVD在GaAs上生长的CdTe上延膜原位掺杂有施主In。通过测量放射性掺杂物〜111In的γ辐射,可以确定在MOCVD装置中生长过程中Ind的掺入量和CdTe层中In的沉积量。通过扰动的γγ-角相关(PAC)技术在供体〜111In处检测到生长缺陷的缺陷。 PAC实验,加上光致发光光谱,表明存在A中心,该中心由Cd空位和In供体组成。

著录项

  • 来源
    《Journal of Crystal Growth》 |1999年第2期|p.1184-1189|共6页
  • 作者

    V. Ostheimer; T. Filz; J. Hamann;

  • 作者单位
  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类 晶体学;
  • 关键词

  • 入库时间 2022-08-18 00:55:20

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