机译:在MOCVD生长过程中用放射性〜111In掺杂CdTe
机译:在用于核辐射探测器的远程等离子体辅助MOCVD系统中CdTe衬底上CdTe外延层的低温生长和掺杂
机译:HgCdTe膜的MOCVD生长及其掺杂的电学性能。
机译:MOCVD HgCdTe外延层中受体掺杂的控制
机译:升华CdTe和CdSeTe器件中V族掺杂CdTe的MOCVD沉积
机译:光伏应用CdTe薄膜的原位非本征掺杂
机译:铁掺杂的CdTeS磁性量子点用于生物成像
机译:MoCVD GaAs的Si掺杂:结合过程的更紧密分析MOCVD GaAs的Si掺杂:结合过程的更紧密分析
机译:用于CdTe太阳能电池的mOCVD(金属有机化学气相沉积)技术:最终报告,1985年2月15日至1987年4月。