机译:GaAs的(0 0 1)和(1 1 0)表面上掺入扩散长度的砷压力依赖性以及MBE中的表面间扩散
Microprobe-RHEED/SEM MBE; Incorporation diffusion length; The growh recation with As_4;
机译:砷对脊结构制造GaAs MBE表面间扩散的影响
机译:GA在GAAS非平面基质上的界面间扩散及其通过微探针/ SEM MBE的实时控制
机译:MBE生长的GaAs / AlGaAs横向p-n结二极管发光的砷蒸气压依赖性
机译:在411 A GaAs衬底上GaAsP分子束外延过程中As / sub 4 /分子表面迁移长度的砷压力依赖性
机译:硅中自扩散,砷扩散和表面偏析的第一性原理计算。
机译:非掺杂InGaAs / AlGaAs多量子阱中异常线性光电流效应及其对波长的依赖性
机译:注释GaAs P / N太阳能电池中少数载波扩散长度和边缘表面重组速度的评价J。苹果。物理。 72,2919(1992)
机译:碳掺杂al(0.4)Ga(0.6)as / Gaas超晶格中的al-Ga相互扩散,碳受体扩散和孔减少:as(4)压力效应