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【24h】

Nucleation andgrowth of faceted voids in silicon crytals

机译:硅晶体中多面空隙的成核和生长

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摘要

The growth of small facted voids (vacancy clusters) is retarded since it requries 2D nucleation at clsuter facets. Thue vacancy agglomeration is remarkably afected by the resulting time lag inproduciotn of large voids. At low starting vacancy concentration and/or high cool rate the void formation is suppressed; the vacancies go mstly to clusters.
机译:小事实空洞(空位簇)的生长受到阻碍,因为它需要在辅助刻面进行二维成核。由于产生的大空隙导致的时间滞后,显着影响了空位团聚。在低的起始空位浓度和/或高的冷却速率下,抑制了空隙的形成;空缺主要集中在集群上。

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