机译:硅掺杂Al层的生长与研究
Institute of Optoelectronics, Ulm University, 89081 Ulm, Germany;
b1. aln; a1. cathodoluminescence; a1. dislocations; a1. hrxrd; a1. tem; a1. vacancies;
机译:双层AlN缓冲层对Si掺杂的Al
机译:具有不同AlN摩尔分数和Si浓度的Si掺杂AlGaN外延层中的微观电势涨落
机译:成分中间层对生长在SiC上的Si掺杂AlN / GaN分布的Bragg反射器的垂直电导率的影响
机译:MOVPE生长和N型电导率控制使用外延ALN作为底层的高质量Si掺杂AL_(0.5)Ga_(0.5)n
机译:块状AlN单晶衬底上的富铝AlGaN和AlN生长
机译:Al-AlN-TiN多层膜中锌共混AlN层的生长和应力诱导转变
机译:通过脉冲溅射在蓝宝石(0001)上的Si-掺杂Aln的生长