机译:Movpe在氮气作为载气的Aln模板上通过Movpe生长的Algan / aln多量子阱
Laboratoire Materiaux Optiques, Photonique et Systeme (LMOPS), UMR CNRS 7132, University of Metz and Supetec, 2 rue Edouard Belin, F-57070 Metz, France;
a3. metalorganic vapour phase epitaxy; b1. algan; b1. nitrides; b2. semiconducting gallium compounds;
机译:MOVPE生长的Si掺杂AlGaN / AlN多量子阱的结构和光学性质
机译:在具有宏台阶的AlN模板上生长的AlGaN量子阱中的载流子定位结构与当前微径结合
机译:MOVPE法在外延AlN /蓝宝石模板上生长AlGaN / GaN异质结构
机译:通过MOVPE在直径为100 mm的外延AlN /蓝宝石模板上生长的高性能AlGaN / AlN / GaN HEMT
机译:块状AlN单晶衬底上的富铝AlGaN和AlN生长
机译:通过无光刻法在AlN纳米棒上的深紫外AlGaN / AlN核壳多量子阱
机译:错误:“在ALN模板上生长的293 nm AlGaN UVB LED的外部量子效率提高”JPN。 J. Appl。物理。 58,SAAF01(2019)