机译:有机金属气相外延法制备Al_2o_3过渡层对Zno衬底上Ingan的影响
School of Electrical and Computer Engineering, Georgia Institute of Technology, 778, Atlanta, GA 30332, USA;
a1. x-ray diffraction; a3. organometallic vapor phase; b1. nitrides; b1. zno substrate; b2: semiconducting materials;
机译:通过气相外延法从有机金属化合物获得的3-5μm光谱范围辐射源阻挡层的AlInAsSb和AlGaInAsSb固溶体
机译:单和双SiN_x中间层对通过有机金属气相外延生长的GaN覆盖层中的缺陷减少的功效
机译:金属有机气相外延生长在r面蓝宝石衬底上生长的[1120]取向的InGaN / GaN薄膜的阴极发光特性
机译:以Al_2O_3为过渡层的ZnO衬底上的GaN和InGaN的金属有机化学气相沉积
机译:通过金属有机气相外延在蓝宝石和块状氮化铝衬底上生长的掺硅氮化铝镓和紫外发光二极管的复合动力学
机译:卤化物气相外延在锥形截肢型蓝宝石衬底上生长的α-GA2O3癫痫脱位的减少
机译:单和双SiNx中间层对通过有机金属气相外延生长的GaN覆盖层中的缺陷减少的功效
机译:通过分子束外延在Gaas衬底上的Inalas缓冲层上生长的InGaas / alGaas子带间跃迁结构