机译:Si(001)和Si(111)衬底上沉积的Zno上生长的Movpe Gan的性能
Faculty of Microsystem Electronics and Photonics, Wroclaw University of Technology, Janiszewskiego Street 11/17, 50-372 Wroclaw, Poland;
a3. movpe; a3. radio-frequency sputtering; b1. gallium nitride; b1. si; b1. temperature graded nitride multi-layer; b1. zno;
机译:MOVPE在多孔Si(111)和Si(111)衬底上生长的AlN和GaN的形貌特性
机译:Si(001)衬底上MOVPE生长的AlGaN / GaN基FET的晶体学和电学性质
机译:用Movpe比较在Si(111)和C蓝宝石衬底上生长的Gan的电学性质
机译:ZnO膜在(0001)A1_2O_3和(111)Si衬底上沉积的ZnO膜通过MOCVD用作缓冲层的ZnO薄膜生长的GaN层
机译:用于AlGaN / GaN和InAlN / GaN二极管以及在硅(111)衬底上生长的高迁移率晶体管的CMOS兼容氧化钌肖特基接触的研究。
机译:Si(111)衬底上ZnO / GaN异质结构纳米柱状薄膜的制备及性能
机译:通过MOVPE在Si(111)和Si(110)衬底上生长的GaN / AlaN的IntersubBand吸收量甘蓝孔的吸收
机译:在(00-1)蓝宝石,(100)和(111)硅衬底上生长的高质量aIN和GaN外延层