机译:In_xga_(1-x)as / inp非磁性半导体自旋电子学的选择性区域金属有机气相外延
Juelich-Aachen Research Alliance (JARA), Institute of Bio- and Nanosystems (IBN-I), Research Centre Juelich, 52425 Juelich, Germany;
a1. nanostructures; a3. metelorganic vapor phase epitaxy; a3. selective epitaxy; b2. semiconductor Ⅲ-Ⅴ materials;
机译:InGaAsP / InP窄带选择性金属有机气相外延的表面迁移效应和横向气相扩散效应
机译:通过选择性区域金属有机气相外延在InP(111)衬底上形成InP和InGaAs气孔阵列
机译:选择性区域金属有机气相外延法控制位置控制的III-V族化合物半导体纳米线太阳能电池
机译:金属有机化学气相沉积的INP碳掺杂IN_XGA_(1-X)SB_Y _(1-Y)SB_Y
机译:利用金属有机气相外延合成窄带隙III-V族半导体。
机译:选择性区域金属有机气相外延对位置控制的III–V化合物半导体纳米线太阳能电池
机译:InAs / InP量子点与金属有机气相外延生长的In纳米粒子的等离子体共振的耦合
机译:通过金属有机分子豆外延生长在Ge / p共注入Inp衬底上的Inp / InGaas异质结双极晶体管。