机译:Gav(nasp)/(bga)p多量子阱结构在(001)硅衬底上的单片集成
NAsP Ⅲ-Ⅴ GmbH, Am Knechtacker 19, 35041 Marburg, Germany;
a3. organometallic vapor-phase epitaxy; b1. dilute nitrides; b2. semiconducting Ⅲ-Ⅴ materials; b3. laser diodes; b3. heterojunction semiconductor devices;
机译:(0 0 1)Si衬底上Ga(NAsP)/(BGa)P多量子阱结构的异质界面性质与光致发光效率的相关性
机译:硅衬底上单片集成激光的Ga(NAsP)量子阱结构的界面形态和组成
机译:(111)A GaAs衬底上P-I-N InGaAs / GaAs应变多量子阱结构的MOVPE生长和性质
机译:在MOVPE生长的硅衬底上单片集成Ga(NAsP)/(BGa)P QW激光器的激光特性
机译:氮化铝镓/氮化镓HEMT与CMOS在硅(111)衬底上的整体集成的热分析。
机译:Si(001)上室温多功能BaTiO3-CoFe2O4外延异质结构的整体集成
机译:Ga(NAsP)晶格匹配(001)硅衬底的激光操作
机译:用mOVpE在硅衬底上生长外延Gaas和Gaalas