机译:生长参数对Movpe生长的Gan子带隙吸收的光热偏转光谱测量
Department of Condensed Matter Physics and Materials Science, Tata Institute of Fundamental Research, Homi Bhabha Road, Mumbai 400005, India;
a1. defects; a1. impurities; a3. metalorganic vapor phase epitaxy; b1. gallium nitride;
机译:TBPO封闭的CdSe纳米粒子浓度对聚(3-己基噻吩)薄膜中亚带隙吸收的光热偏转光谱研究
机译:用光热偏转光谱法测量GaAsN薄膜的带隙吸收
机译:磁控溅射和微波等离子体增强化学气相沉积光热偏转光谱法测定的碳涂层
机译:通过光热偏转光谱测量的光波导应用的聚合物吸收
机译:使用光热偏转光谱法直接测量硅纳米结构的带边缘光吸收。
机译:X射线光发射光谱法测量的非极性A面GaN / AlN和AlN / GaN异质结构的能带偏移
机译:光热挠度光谱法的离子植入GaN膜的结构评价
机译:光热偏转光谱法研究结晶和非晶硅的吸收光谱