机译:底层甘氨酸对Movpe生长的Ingan / gan蓝led的影响。
Department of Micro and Nanosciences, Micronova, Helsinki University of Technology, Tietotie 3, 02150 TKK, Espoo, Finland;
a1. atomic force microscopy; a1. x-ray diffraction; a3. mocvd; b1. nitrides; b3. light emitting diode; b3. semiconducting Ⅲ-Ⅴ materials;
机译:带有阶梯式电子注入器的InGaN / GaN蓝色LED中的InGaN应力补偿层
机译:在GaN势垒和InGaN阱之间具有超薄插入层的InGaN / GaN基蓝色LED的增强性能
机译:在MQW有源层和n-GaN覆盖层之间具有InGaN插入层的,基于GaN的蓝色LED的改进性能
机译:使用p-InGaN和p-InGaN / p-GaN超晶格作为p型层的InGaN MQW绿色LED
机译:利用纳米技术在Si上生长,制造和表征基于InGaN / GaN的蓝色,绿色和黄色LED。
机译:GaOOH NRA使用薄的ATO种子层改善了InGaN / GaN蓝色LED的光提取
机译:具有和不具有n-InGaN电子存储层的蓝色InGaN / GaN量子阱二极管的电致发光效率
机译:经受高电流脉冲的蓝色alGaN / InGaN / GaN LED的劣化