机译:Movpe种植的六方氮化硼
NTT Basic Research Laboratories, NTT Corporation, 3-1, Morinosato Wakarniya, Atsugi-shi 243-0198, Japan;
a3. low press; metalorganic vapor phase epitaxy; b1. nitrides; b2. semiconducting Ⅲ-Ⅴ materials;
机译:化学气相沉积六边形氮化物氮化膜氮化硼前体的比较研究
机译:通过使用BCI_3作为硼源的低压化学气相沉积在蓝宝石底物上生长的六边形氮化硼薄膜的室温内在激子发光
机译:MOVPE生长的氮化硼的结构和光学性质
机译:在蓝宝石和硅基材上外延生长的六边形氮化硼膜
机译:六方氮化硼/石墨烯异质结构,六方氮化硼层和立方氮化硼纳米点的分子束外延生长
机译:MOVPE在晶圆级厚氮化硼层上的柔性金属-半导体-金属器件原型
机译:微波等离子体化学气相沉积期间使用高原子硼发射生长六角形氮化物