机译:使用Sin_x模板的Gaas和Inas纳米线均质和异外延生长的选择性区域
Institute of Inorganic Chemistry, Semiconductor Chemistry Croup, University Leipzig, Johannisallee 29, D-04103 Leipzig, Germany;
a1. nanostructures; a2. selective-area growth; a3. metalorganic vapor phase epitaxy; b1. nanowires;
机译:用于GaAs / InAs核/壳纳米线生长的纳米压印和选择性区域MOVPE
机译:通过嵌段共聚物模板化的Sio_2掩模在Gaas上外延生长20 Nm的Inas和Gaas量子点
机译:交叉影线InGaAs模板上的自组装InAs量子点:过量生长,生长速率,上限和优先对准
机译:通过分子束外延(MBE)两步生长技术在InGaAs方形纳米孔模板上制备侧向InAs量子点分子
机译:混合尺寸INAS / GAAS系统宽带超快光谱=混合尺寸INAS / GAAS系统的宽带超快光谱
机译:GaAs环状纳米结构模板上的自组装InAs量子点形成
机译:通过选择性区域MOVPE在GaAs(1 1 1)B表面上生长GaAs / AlGaAs六角形柱
机译:Gaas上Inas异质外延的晶格弛豫