机译:Ganas缓冲层上的高密度Inas量子点
Microsystem Research Center, Precision and Intelligence Laboratory, Tokyo Institute of Technology, R2-39, 4259 Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama, Kanagawa 226-8503, Japan;
a1. low-dimensional structures; a1. nanostructures; a3. metalorganic chemical vapor deposition; b2. semiconducting gallium arsenide; b2. semiconducting Ⅲ-Ⅴ materials; b3. laser diodes;
机译:热退火对GaNAs缓冲层上InAs量子点光致发光特性的影响
机译:GaNAs缓冲层的MOCVD生长的InAs量子点的波长延长和提高的发射效率
机译:金属有机化学气相沉积在GaNAs缓冲层上形成的InAs量子点
机译:退火后对GaNAs缓冲层上InAs量子点发射特性的影响
机译:在2-D电场下探索InAs / GaAs量子点和量子点分子中的单孔状态
机译:通过MOCVD在300mm GE缓冲的Si(001)衬底上产生的o频带Qualtum Dots
机译:嵌入GaNAs应变补偿层中的InAs自组装量子点的各向异性晶格变形