机译:覆盖层对Movpe生长的Inas / Gaas量子点性能的影响
Institute of Physics AS CR, v. v. i., Cukrovarnicka 10, 162 00, Prague 6, Czech Republic;
a1. atomic force microscopy; a1. nanostructures; a3. low-pressure metalorganic vapor phase epitaxy; b2. semiconducting Ⅲ-Ⅴ materials;
机译:异位退火对四元合金(InAlGaAs)封盖的InAs / GaAs量子点异质结构的影响,随着生长速率,势垒厚度和种子量子点单层覆盖率的变化,优化了光电和结构性能
机译:四元合金(InAlGaAs)封顶的InAs / GaAs多层量子点异质结构的热稳定性,其生长速率,势垒厚度,种子量子点单层覆盖率和生长后退火均会发生变化
机译:GaAs / InAs准单层对InAs / GaAs量子点结构和光学性质的影响
机译:GaAs和AlAs薄盖层对分子束外延生长InAs量子点结构性能的影响
机译:在2-D电场下探索InAs / GaAs量子点和量子点分子中的单孔状态
机译:通过InAlAs中间层改变GaAsSb封盖的InAs量子点的光学性质
机译:InGaAs覆盖层对INAS / GaAs量子点性质的影响