机译:用二异丙基锌和叔丁醇通过Movpe生长Ga掺杂的Zno
Innovation Plaza Hiroshima, Japan Science and Technology Agency, 3-10-23 Kagamiyama, Higashihiroshima 739-0046, Japan;
a1. ccharacterization; a1. doping; a2. metalorganic vapor phase epitaxy; b1. zinc compounds; b2. semiconducting Ⅱ-Ⅵ materials;
机译:使用二异丙基锌和叔丁醇通过MOVPE生长氮掺杂ZnO薄膜
机译:使用二异丙基锌和醇通过MOVPE生长ZnO膜
机译:在选定的ZnO衬底上通过MOVPE进行致密ZnO(0001)和ZnO(1120)薄膜的同质外延生长
机译:金属有机化学气相沉积法生长单晶掺镓ZnO薄膜及其表征
机译:直接和间接确定基本速率常数H + O2:链支化;叔丁醇的脱水;环己烯的逆Diels-Alder反应;异丙醇的脱水。
机译:Al掺杂ZnO和Ga掺杂ZnO透明导电氧化物薄膜的比较研究
机译:镓热氧化生长Ga掺杂ZnO薄膜及其光学性质