机译:非极性A平面Gan / Algan量子阱的性质
Department of Materials Science and Metallurgy, Pembroke Street, University of Cambridge, Cambridge CB2 3QZ, UK;
a1. characterization; a3. metalorganic vapor phase epitaxy; a3. quantum wells; b1. nitrides;
机译:在非极性a面GaN衬底上生长的不对称InGaN / GaN多量子阱之间耦合的光谱研究
机译:在r平面蓝宝石上使用非极性a平面AlGaN多量子阱在353 nm处进行光泵激激光发射
机译:在横向过度生长的a平面和c平面GaN上变化阱宽度的GaN / AlGaN多量子阱的强度相关的时间分辨光致发光研究
机译:使用非极性A平面ALGAN多量子孔的紫外发光二极管
机译:以极性,半极性和非极性方向生长的InGaN / GaN多量子阱发光二极管。
机译:在a平面和m平面GaN衬底上生长的InGaN / GaN多量子阱的光学和偏振特性的研究
机译:在非极性a面GaN基板上生长的不对称InGaN / GaN多量子阱之间耦合的光谱研究