机译:退火中的气氛效应对Gainnas / Gaas单量子阱光学特性的改善
Semiconductor Technologies R&D Laboratories, Sumitomo Electric Industries, Ltd., 1-1-1, Koya-kita, Itami, Hyogo 664-00/6, Japan;
a3. metalorganic vapor-phase epitaxy; a3. quantum wells; b1. nitrides; b2. semiconducting Ⅲ-Ⅴ materials; b3. laser diodes;
机译:退火对1.3μm覆盖介电层的GaInNAs / GaAs量子阱样品的光学和结构性质的影响
机译:退火对1.3μm覆盖介电层的GaInNAs / GaAs量子阱样品的光学和结构性质的影响
机译:生长后退火后的GaInAs / GaAs和GaInNAs / GaNAs多量子阱的结构和光学性质
机译:MOCVD生长条件对增益/ GAAS / INGAAS / GAAS量子阱的光学和结构性质的影响
机译:InGaAs / GaAs多量子阱中的缺陷产生:晶体和光学特性与外延生长条件的相关性。
机译:InGaAs交叉影线图案上生长和退火的InAs量子点的光学性质
机译:退火对多层Inas / Gaas量子点系统电学和光学性质的影响