机译:金属有机气相外延法表征Al_xga_yin_(1-x-y)材料选择性生长区域的微观拉曼光谱
LMOPS - UMR-CNRS 7132, Universite de Metz and SUPELEC-UMI 2958, Georgia Tech-CNRS, France;
a1. characterization; a3. metal-organic vapor-phase epitaxy; a3. selective epitaxy; b2. semiconducting Ⅲ-Ⅴ materials;
机译:利用金属有机气相外延选择性生长区域对AlGaInAs及其相关材料进行建模和表征
机译:生长温度对选择性区域金属有机气相外延中InGaAs纳米线生长的影响
机译:InN,GaN和InGaN的选择性区域金属有机气相外延覆盖整个成分范围
机译:InGaAs / InAs复合通道的InP基HEMT结构的金属有机气相外延生长
机译:金属有机气相外延生长,制造和表征III-V氮化物光电器件。
机译:金属有机汽相外延减少Si衬底上制备的InAs纳米鳍的位错
机译:生长温度对InGaAs纳米线在选择性区域金属有机气相外延生长的影响
机译:胂含量对VpE(气相外延) - 氢化物技术制备的Ga(x)In(1-x)外延层组成,载流子浓度,迁移率和生长速率的影响