机译:金属有机气相外延法在低温下在硅衬底上生长Inas
Department of Chemistry, University of Wisconsin-Madison, Madison, W1 53706-1691, USA;
a3. metalorganic vapor phase epitaxy; b1. inas; b1. silicon; b2. semiconducting Ⅲ-Ⅴ materials;
机译:利用InGaAs梯度缓冲层的低温生长实现GaAs衬底上InAs层的金属有机气相外延
机译:高温对金属有机气相外延生长低位错含量的AlN桥层对6H-SiC衬底的影响
机译:金属有机气相外延法生长InAs衬底上砷掺入GaAsSb层厚度对InAs / GaAsSb超晶格的影响
机译:通过在金属有机气相外延的不同帽层生长速率调节inaS / InP(001)量子点发射从1.55至2μm
机译:微金属应用中通过金属有机气相外延生长在6H-SiC(0001)衬底上的GaN和AlGaN的生长,掺杂和表征。
机译:金属有机汽相外延减少Si衬底上制备的InAs纳米鳍的位错
机译:金属有机气相外延法在Si衬底上高温生长GaP