机译:微重力浮区法生长Ge(ga)单晶的结构特征
Space Materials Science Research Center, Division of Institute of Crystallography, Russian Academy of Sciences, Akademicheskaya Str., 8, 248640 Kaluga, Russia;
a1. characterization; a1. defects; a1. x-ray topography; a2. floating zone technique; a2. microgravity conditions; b2. semiconducting germanium;
机译:浮区法生长的Ga_(2-x)Fe_xO_3单晶的结构和磁电性质
机译:在模拟微重力微扰因子的条件下生长的Ge(Ga)单晶的结构特征
机译:(Lu0.3gd0.7)(2)SiO5:由激光浮区生长的SiO5:Y3 +单晶:结构和光学研究
机译:浮区法在微重力下生长的Ge(Ga)单晶的X射线断层照相法
机译:浮区法生长的掺稀土Y3Al5O12单晶和透明陶瓷的光学性质
机译:SmB6单晶的助焊剂和浮动区的化学和物理性质
机译:激光浮区生长grown掺杂氧化锆单晶纤维的结构和光学性能