...
机译:AlN缓冲层对在邻近C面SiC衬底上生长的N极GaN膜的表面形态和结构性能的影响
Department of Materials Science and Engineering and Materials Research Institute, The Pennsylvania State University, University Park, PA 16802, USA;
Department of Materials Science and Engineering and Materials Research Institute, The Pennsylvania State University, University Park, PA 16802, USA;
A1. Hexagonal hillock; A1. Polarity; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. N-polar GaN; B1. N-polar AlN; B1. Nitrides;
机译:生长应力对在相邻C面SiC衬底上生长的N极GaN膜表面形貌的影响
机译:生长应力对在相邻C面SiC衬底上生长的N极GaN膜表面形貌的影响
机译:用于AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管的SiC衬底上通过氨分子束外延生长的GaN缓冲层的结构和形态学特性
机译:MoCVD在C脸6H-SiC基板上生长的N极GaN膜的性质
机译:通过发光光谱和X射线衍射测定在6H-SiC(0001)衬底上生长的GaN和Al(x)Ga(1-x)N薄膜的应变和组成。
机译:使用双AlN缓冲层在m面蓝宝石上生长的半极性(11-22)GaN的各向异性结构和光学性质
机译:用Al预播种AlN缓冲液在SiC / Si(111)衬底上生长的GaN薄膜的生长和表征
机译:倾角对钴(0001)siC衬底上生长siC外延薄膜形貌的影响