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机译:模拟非弹性散射对共振隧穿电流的影响
Institute of Microelectronics and Optoelectronics, Warsaw University of Technology, Koszykowa 75, 00-662 Warsaw, Poland;
nanoelectronics; resonant tunneling diode; DG MOS structure; scattering;
机译:铜酸盐中共振非弹性X射线散射(RIXS)的三波段模型中的共振增强因子
机译:共振非弹性X射线散射数据对铜酸盐理论模型的影响
机译:基于GEC的双屏障多量子阱谐振二极管隧道电流密度的建模
机译:非弹性散射对谐振隧道结构电流电压和射击噪声特性的影响
机译:模拟许多谷电子散射对谐振隧穿二极管的电流-电压特性的影响。
机译:共振非弹性X射线散射测定氧合血红蛋白及其模型配合物的电子结构
机译:非弹性电子声子散射对双势垒结构共振隧穿的影响
机译:cugeo(sub 3)中的共振和非共振非弹性X射线散射