...
机译:串联电阻和并联电阻对Al / SiO2 / Si结构C-V和G-V特性的影响
Sfax Fac Sci, Lab Composite Ceram & Polymer Mat LaMaCoP, Soukra Rd Km 4, Sfax 3038, Tunisia;
Univ Autonoma Madrid, Dept Fis Aplicada, Grp Elect & Semicond, E-28049 Madrid, Spain;
Sfax Fac Sci, Lab Composite Ceram & Polymer Mat LaMaCoP, Soukra Rd Km 4, Sfax 3038, Tunisia;
Metal/oxide/semiconductor (MOS); Frequency; Resistance; Doping; Conductance; Capacitance;
机译:串联电阻和并联电阻对Al / SiO2 / Si结构C-V和G-V特性的影响(2016年第15卷,第831页)
机译:串联电阻和并联电阻对硅基金属氧化物半导体(MOS)器件C-V特性的影响
机译:串联电阻和界面态对室温下Au /(Co_3O_4掺杂PVA)/ n-Si结构的C-V和G / w-V特性的影响
机译:高温退火对n沟道增强型功率MOSFET器件的C-V和G-V特性的影响
机译:基于纳米结构表面增强拉曼散射基板的新型串联和并行传感系统的开发,用于生物医学应用。
机译:温度对St-90°X石英上Sio2 / Su-8多导层爱波传播特性的影响
机译:电容 - 电压(C-V)法测定sb掺杂TiO2 / n-si mIs结构的串联电阻参数
机译:58系列表格的附加测试。第一部分并联中体系列的电阻测试