机译:通过漏极/栅极功函数工程控制双极性并改善RF性能,并在电掺杂TFET中使用高kappa介电材料:建议和优化
PDPM Indian Inst Informat Technol Design & Mfg Ja, Jabalpur, India;
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Ambipolar current; Electrically doped; RF performance and work function engineering;
机译:对具有不同漏极掺杂分布的TFET上的双功函数,下重叠和异质栅电介质的影响研究,以评估和优化高频性能
机译:用于抑制双极性性质和改善射频性能的非均匀异质栅介电双材料控制栅极TFET分析
机译:新型异质材料栅下重叠电掺杂TFET,用于改善DC / RF和双极性行为
机译:通过双功函数,异质栅极电介质,栅极下陷来控制异质结双栅极TFET的双极性行为并改善其射频性能:评估和优化
机译:通过原子层沉积进行金属栅/高k电介质堆叠工程:材料问题和电性能。
机译:电介质调制双源沟槽门TFET生物传感器的仿真与性能分析
机译:基于双材料栅极的异质连接无效TFET中电性能的提高
机译:1998年3月8日至13日在德国schloss Ringberg举行的内部控制功能材料内部研讨会:电气和化学特性