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机译:具有在FinFET技术的低栅极偏置的低泄漏和高可写的SRAM单元
Sharif Univ Technol Dept Comp Engn Tehran 111559517 Iran|Penn State Univ Coll Elect & Comp Engn State Coll PA 16802 USA;
Shahid Beheshti Univ GC Fac Elect Engn Tehran 1983963113 Iran;
Islamic Azad Univ Sci & Res Branch Dept Elect & Comp Engn Tehran Iran;
Sharif Univ Technol Dept Comp Engn Tehran 111559517 Iran;
Univ Tehran Coll Engn Sch Elect & Comp Engn Nanoelect Ctr Excellence Tehran Iran;
SRAM; Leakage; FinFET; Dynamic back-gate biasing; Process variations;
机译:FinFET技术中具有背栅偏置的低泄漏,高可写SRAM单元
机译:利用动态背栅偏置的高稳定度,低功耗FinFET SRAM单元
机译:高度稳定,低功耗FinFET SRAM单元,具有利用动态背栅偏置
机译:FINFET技术中的高性能,低泄漏和稳定的SRAM行的后门偏置方案
机译:在16NM技术中使用FinFET和CMOS的8T SRAM单元的设计与性能评估
机译:具有嵌入式校准方案的动态pH传感器采用先进的CMOS FinFET技术
机译:低泄漏不对称单元sRam