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机译:基于HBT工艺的新型自适应电流偏置线性射频功率放大器
Institute of Microelectronics, Tsinghua University, Beijing, 100084, China;
rnInstitute of Microelectronics, Tsinghua University, Beijing, 100084, China;
rnAccel Semiconductor Corp. (Shanghai), Shanghai, 201203, China;
bipolar; power amplifier; adaptive bias; SiGe HBT; linearity;
机译:Sige Hbt中的动态偏置,用于宽带阶跃包络跟踪功率放大器
机译:用于S波段集电极开路自适应偏置功率放大器设计的高性能SiGe HBT功率单元
机译:采用IM3消除技术的低功耗,高线性SiGe HBT低噪声放大器
机译:功率放大器应用中的积极偏置Cascode SiGe HBT的大信号性能,线性和可靠性特性
机译:磷化铟镓/砷化镓HBT工艺中的高线性度两瓦功率放大器设计,用于多频段无线应用。
机译:缓解SiGe-HBT电流模式逻辑电路中的单事件效应
机译:低成本,宽范围低电流消耗 ud用于便携式 ud的线性HBT MMIC功率放大器2.4GHz WLAN应用