机译:金底层对CoPt薄膜结构和磁性的影响
a Department of Electrical Engineering, Hsiuping Institute of Technology, 11 Gunzye Road, Dali City, Taichung, 41280, Taiwan, R.O.C. Phone: 886â4â24961100 ext. 1299 E-mail: b Department of Electrical Engineering, Hsiuping Institute of Technology, 11 Gunzye Road, Dali City, Taichung, 41280, Taiwan, R.O.C. c Institute of Physics, Acdemia Sinica, Taipei, 11529, Taiwan, R.O.C.;
机译:金底层对复合薄膜结构和磁性的影响
机译:<分子式
机译:Ag底层对CoPt纳米复合薄膜微观结构和垂直磁性能的影响
机译:具有超薄Cr底层的CoPt薄膜的磁性
机译:钴铬钽/钴(3)氧(4)/铂垂直磁性薄膜介质的结构和磁性能的研究以及超高密度磁性位图的MFM研究。
机译:的结构电子和磁性Au(111)上的Tetrakis(噻二唑)卟啉钴分子膜
机译:Coti底层对CoCrpt磁性薄膜磁性和微观结构性能的影响