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【24h】

Electrical Conductivity and Growth of Single‐Crystal Indium Sesquioxide

机译:单晶氧化铟锡的电导率和生长

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摘要

Single crystals of In2O3 were grown by a flux technique that is described in detail. The temperature dependence of the electrical conductivity was measured down to 4.2°K; an anomaly in the conductivity is discussed.
机译:In2O3的单晶通过详细描述的助熔剂技术生长。测得的电导率的温度依赖性低至4.2°K;讨论了电导率异常。

著录项

  • 来源
    《Journal of Applied Physics 》 |1964年第10期| 共1页
  • 作者

    Remeika J. P.; Spencer E. G.;

  • 作者单位

    Bell Telephone Laboratories, Incorporated, Murray Hill, New Jersey;

  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类
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