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Edge Emission Bands in High‐Purity Cadmium Sulfide

机译:高纯硫化镉的边缘发射带

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摘要

It is shown that there are nine clearly defined series of low‐temperature phonon‐assisted edge emission bands in pure cadmium sulfide crystals. Of these nine series, four have not been previously discussed. It is shown that eight of the series can be explained as arising from transitions involving a band model with two donor levels and three acceptor levels.
机译:结果表明,纯硫化镉晶体中有9个清晰定义的系列低温声子辅助边缘发射带。在这9个系列中,有4个以前没有讨论过。结果表明,该系列中的八个可以解释为源于涉及具有两个供体能级和三个受体能级的能带模型的转变。

著录项

  • 来源
    《Journal of Applied Physics》 |1971年第7期|共4页
  • 作者单位

    Aerospace Research Laboratories, Wright‐Patterson Air Force Base, Ohio 45433;

  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类
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