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Premelting in alkali halides due to the thermal formation of dislocations

机译:由于位错的热形成而在碱金属卤化物中预熔融

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摘要

In a recent paper allnatt and Sime described some high‐temperature electrical‐conductivity experiments on sodium chloride and potassium chloride in which the activation enthalpy for the conductivity was 110-210 eV and 440 eV, respectively. In this paper we suggest that the rapid rise in conductivity is due to the enhanced diffusion of charged defects along thermally formed dislocations. We present a formula for the conductivity along thermal dislocations and using it we calculate entropies of 1150k‐2190k for NaCl and 4750k for KCl. Together with the high enthalpies these entropies are consistent with the Gibb’s function for the formation of thermal dislocations approaching zero at the melting point, implying that on melting the crystal is highly dislocated.
机译:在最近的一篇论文中,Allnatt和Sime描述了一些关于氯化钠和氯化钾的高温电导率实验,其中电导率的活化焓分别为110-210 eV和440 eV。在本文中,我们建议电导率的快速上升是由于带电缺陷沿热形成位错的扩散增强所致。我们给出了沿热位错的电导率的公式,并使用该公式计算出NaCl的熵为1150k-2190k,KCl的熵为4750k。这些熵与高焓一起,与吉布的热位错形成函数相符,该热位错在熔点接近零,这意味着晶体熔化后高度位错。

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  • 来源
    《Journal of Applied Physics》 |1976年第11期|P.5121-5123|共3页
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  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
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