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机译:勘误表:“富含硅的氧化物/氮化物/氧化物基发光电容器的电荷传输与电致发光性能之间的相关性” [J.应用物理112,033114(2012)]
MIND-IN2UB, Dept. Electrònica, Universitat de Barcelona, Martí i Fanquès 1, 08028 Barcelona, Spain;
机译:富硅氧化物/氮化物/氧化物基发光电容器的电荷传输与电致发光性能之间的相关性
机译:勘误表:“在纳米级金属-铁电界面上尺寸依赖的极化反转” [J.应用物理112,123708(2012)]
机译:勘误:“浸入固体表面附近粘性流体中的锐边光束的有限振幅振动” [J.应用物理112,104907(2012)]
机译:Alq_3基有机发光二极管中的化学老化,电荷传输和电致发光
机译:多面体低聚倍半硅氧烷(POSS)衍生物的电子性能和电荷传输以及高效有机发光二极管的材料设计。
机译:有机发光二极管的电荷注入和传输性质
机译:富硅氧化物/氮化物/氧化物基发光电容器的电荷传输与电致发光特性之间的相关性。