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机译:应变对碳化硅电性能的影响
Department of Physics and Astronomy;
Vanderbilt University;
Nashville;
Tennessee 37235;
USA|c|;
机译:应变对碳化硅电性能的影响
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机译:二氧化硅/碳化硅界面的微结构和化学研究及其与碳化硅MOS二极管和碳化硅MOSFET的电学性质的关系。
机译:通过第一原理计算的富硅碳化硅材料的晶体结构和电子性能
机译:覆盖碳化硅材料电学特性的动态辐射效应
机译:煤气化环境对硅化碳化硅腐蚀行为和力学性能的影响