机译:通过基于GaN的金属绝缘体半导体器件的电容-频率-温度映射来评估栅极控制效率和界面态密度
Center for Nano Materials and Technology, Japan Advanced Institute of Science and Technology (JAIST), 1-1 Asahidai, Nomi, Ishikawa 923-1292, Japan;
机译:通过基于GaN的金属绝缘体半导体器件的电容-频率-温度映射来评估栅极控制效率和界面态密度
机译:电容-频率-温度映射分析AlN / AlGaN / GaN金属-绝缘体-半导体结构
机译:利用电容-频率-温度映射分析AIN / AlGaN / GaN金属-绝缘体-半导体结构
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