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机译:从照明电流-电压特性研究红外光电二极管泄漏电流机理的新方法
Institute of Defence Scientists and Technologists, CFEES Complex, Brig. S. K. Majumdar Marg, Delhi 110054, India;
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机译:从低照度下的电流-电压特性研究中长波长红外HgCdTe光电二极管泄漏电流机理的表征
机译:建模照明电流-电压特性以评估长波长红外汞碲化镉镉光伏探测器中的泄漏电流
机译:反向偏置的背照式Hg
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机译:基于吸附现象的神经膜电流电压特性方法
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