机译:基于Cu掺杂的Ge_0.3Se_0.7的存储器件中的电阻切换的随机性
Institutfiir Festkorperforschung, Forschungszentrum Jiilich GmbH, Jiilich, 52425, Germany;
Institutfiir Festkorperforschung, Forschungszentrum Jiilich GmbH, Jiilich, 52425, Germany;
Institutfiir Festkorperforschung, Forschungszentrum Jiilich GmbH, Jiilich, 52425, Germany;
Institutfiir Festkorperforschung, Forschungszentrum Jiilich GmbH, Jiilich, 52425, Germany;
Fraunhofer-lFAM, 26129, Oldenburg, Germany;
Nanoelektronik, Technische Fakultdt Kiel, Christian-Albrechts-Universitdt Kiel, Kiel, 24143, Germany;
Nanoelektronik, Technische Fakultdt Kiel, Christian-Albrechts-Universitdt Kiel, Kiel, 24143, Germany;
Institutfiir Festkorperforschung, Forschungszentrum Jiilich GmbH, Jiilich, 52425, Germany;
Nanoelektronik, Technische Fakultdt Kiel, Christian-Albrechts-Universitdt Kiel, Kiel, 24143, Germany;
机译:通过n型掺杂控制溶液处理的基于HfOX的电阻式开关存储器件的电阻式开关行为
机译:通过n型掺杂控制溶液处理的基于HfOX的电阻式开关存储器件的电阻式开关行为
机译:掺Gd的TiO_2基电阻开关存储器件中的单极电阻开关及其机理
机译:使用新型扩散方法改善Al掺杂HfO2电阻开关存储器件的均匀性
机译:基于五氧化二铜-铂金器件结构的纳米交叉电阻开关存储器的制作
机译:Al2O3膜的尺寸和厚度对Cu柱的影响以及3D交叉点存储应用的电阻开关特性
机译:基于Cu掺杂的Ge0.3Se0.7的存储器件中电阻切换的随机性