机译:底栅,底接触并五苯薄膜晶体管的分子掺杂效应
Department of Electronic Science & Engineering, Kyoto University, Nishikyo, Kyoto 615-8510, Japan;
Department of Electronic Science & Engineering, Kyoto University, Nishikyo, Kyoto 615-8510, Japan;
Bio-Nano Electronics Research Center, Toyo University, Kawagoe, Saitama 350-8585, Japan;
Bio-Nano Electronics Research Center, Toyo University, Kawagoe, Saitama 350-8585, Japan;
Department of Electronic Science & Engineering, Kyoto University, Nishikyo, Kyoto 615-8510, Japan;
机译:底部栅极,底部接触有机薄膜晶体管的接触面积受限掺杂增强了电流
机译:一种减少五烯底接触底栅晶体管非理想的系统方法
机译:具有肖特基接触的底栅,底接触有机薄膜晶体管中与沟道长度有关的电学特性的实验和数值分析
机译:低阈值底接触薄膜晶体管的电极边缘结构和并五苯膜生长设计
机译:并五苯薄膜晶体管的接触电阻和空穴迁移率。
机译:F4TCNQ掺杂的并五苯中间层对基于顶部接触并五苯的有机薄膜晶体管性能改善的影响
机译:底栅,底接触并五苯薄膜晶体管的分子掺杂效应
机译:柔性纸和玻璃基板上的并五苯有机薄膜晶体管。