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机译:宽带隙(SiC)_(1-x)(AlN)_x四元半导体的电子结构
Department of Physics, National Sun Yat-Sen University, Kaohsiung, 804 Taiwan;
机译:AlN /(AlN)_x(SiC)_(1-x)/ 4H-SiC异质结构的界面性质
机译:杂晶超晶格(3C-ALN)(3N)/(2H-ALN)(2N)和(3C-SIC)(3N)/(2H-SIC)(2N)的电子结构和能带偏移(N = 1,2 ,3)
机译:(AlN)(x)(SiC)(1-x)半导体合金的晶格和电子结构性质
机译:N +和Al +共注入6H-SiC中形成的(AlN)1-x(SIC)x层结构的理论和实验研究
机译:新型三元和四元窄带隙半导体的原子和电子结构。
机译:在(111)3C-SIC上生长的外延ALN / GAN薄膜缺陷结构研究
机译:几种宽带隙半导体的电子结构和热电性能
机译:宽带隙半导体结构中电子激发的相干光学控制。