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Structure control of CdS nanobelts and their luminescence properties

机译:CdS纳米带的结构控制及其发光特性

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摘要

Single crystalline CdS (hexagonal) nanobelts have been synthesized using thermal evaporation at temperatures ranging from 1000 to 1200℃. These nanobelts universally grow along the [120] crystalline direction. The nanobelts fabricated at 1000℃ appear to be much more uniform than those at 1200℃. Moreover, the surface of the nanobelts grown at 1200℃ is rough compared to that of the former, which is due to the secondary growth of CdS crystallites on the nanobelts' surfaces at higher temperatures, as induced by the surface polarity. Cathodoluminescence and photoluminescence studies disclose the different electronic structure qualities of the two samples. The growth mechanisms of the nanobelts and the luminescence differences of the two samples are discussed.
机译:利用热蒸发在1000至1200℃的温度范围内合成了单晶CdS(六角形)纳米带。这些纳米带普遍沿[120]结晶方向生长。在1000℃制备的纳米带似乎比在1200℃制备的纳米带均匀得多。此外,与前者相比,在1200℃下生长的纳米带的表面较粗糙,这是由于CdS微晶在较高温度下在纳米带表面上的二次生长所致,这是由表面极性引起的。阴极发光和光致发光研究揭示了两种样品的不同电子结构质量。讨论了纳米带的生长机理和两个样品的发光差异。

著录项

  • 来源
    《Journal of Applied Physics》 |2005年第5期|p.054303.1-054303.4|共4页
  • 作者单位

    Department of Physics, Huaibei Coal Industry Teacher's College, Huaibei, 235000 P. R. China;

  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类 应用物理学;
  • 关键词

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